14个集成电路成果项目落户光谷，中科院牵手长江存储发力新型存储器

4月26日，武汉市第二批科技成果转化·中科院集成电路光谷专场活动在东湖高新区成功举办，中科院相关院所的14个集成电路成果项目签约，其中包括与长江存储合作的新型存储器研发项目。

活动现场，来自中科院微电子研究所、计算机所、电子学所、深圳先进技术研究院等12家科研院所的30余位集成电路领域专家现场发布100余项技术成果，包括新型存储器件及集成、人脸识别、精密加工、红外探测等。

其中，三维新型存储器、自主可控SSD控制器芯片设计等7个项目上台路演，新型存储器研发、非制冷红外探测器晶圆级封装技术研发、高硬度高熔点第三代半导体典型材料碳化硅晶圆超快激光多焦点隐切技术及装备产业等14个项目现场签约，签约金额超过10亿元。

据了解，武汉市科技成果转化局与中科院武汉分院于3月8日签订《关于推动中科院科技成果在汉转化合作协议》，深入推动中科院科技创新资源与武汉高质量发展的全面对接，此次集成电路专场正是落实协议的首场活动。

此次签约金额最大的项目是由中科院院士刘明团队所主导的新型存储器研发项目，签约金额为2400万元。资料显示，刘明院士从事存储研究多年，今年1月其领导的“新型存储器件及集成研究集体”获得了2018年度中国科学院杰出科技成就奖。

据介绍，这次刘明院士团队带来的三维新型阻变存储器项目，可在更小半导体器件尺寸条件下，探索多层堆叠的高密度存储，把信息“堆”起来存。“如果说传统存储是大型室外停车场，那么3D存储相当于多高层停车城，把车叠起来停，可停车量级大幅跃升”。刘明院士团队成员现场解释时打比方。

值得一提的是，该项目的签约方分别为中科院微电子研究所和长江存储科技有限公司。

众所周知，长江存储是我国三大存储器基地之一，专注于3D NAND 闪存的设计与制造。2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。

2018年8月，长江存储宣布推出其突破性技术——XtackingTM，并成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。目前，长江存储已量产32层3D NAND，按照规划将于今年量产64层3D NAND。

长江日报等媒体报道称，刘明院士的三维新型阻变存储器项目，将助力国家存储器基地对128层256Gb存储器的研发。

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